Ресурсный тест SSD Reletech P400

Что вы можете сказать про китайскую NAND? Нет, не ту, что просто «made in China», а ту, что и разработана там же. Флеш-память от Micron, Toshiba, SKHynix уже проходила через мои руки, и в разные моменты разная память показывала определенные результаты в ресурсных испытаниях. Еще больше статистики можно найти на 3Dnews. Сегодня же у меня в работе SSD Reletech P400 - тестирование надежности этого китайского накопителя с китайской же NAND производства YMTC я уже начал и буду регулярно помещать отчеты о результатах..

Немного о YMTC 3D 64L Xtacking TLC NAND

Уже несколько лет назад в Китае началась разработка собственной NAND памяти, дабы получить независимость от иностранных производителей, ну и заодно выйти на рынок чипов памяти и попытаться откусить от него кусочек для себя.

Читая новости об успехах в разработке NAND, видел упоминание, что работы ведутся, но отставание китайцев от производителей флеш-памяти оценивалось в пару-тройку лет. Напомню, это было начало 2019 года. На тот момент планировалось к концу года наладить производство 64-слойных чипов 3D NAND Xtacking 1.0.

SSD Reletech P400 - тестирование надежности. Xtracking

В то время с таким количеством слоев выпускали свои модели и другие производители, и уже работали, или даже готовили к производству следующее поколение NAND с 96 слоями, готовясь к последующему выпуску 128-слойной памяти.

В YMTC решили, что пропустят этот (96 слоев) шаг и следующими чипами начнут производить NAND XTracking 2.0 со 128 слоями, тем самым если не обогнав, то существенно сократив расстояние до конкурентов.

В Reletech P400, если за отправную точку брать количество слоев используемой NAND (а тут их, слоев, 64 штуки), как раз стоят чипы Xtacking 1.0. Чем интересна эта память?

В основе ее лежит технология изготовления частей NAND раздельно, на разных подложках, с последующим их соединением. Так, собственно ячейки памяти и управляющая логика изготавливаются независимо друг от друга на разных пластинах. После этого они объединяются. Для выполнения этой операции требуется высокая точность изготовления компонентов будущей памяти. Зато это дает выигрыш в размере чипа.

Получающаяся в итоге вертикальная структура позволяет повысить плотность данных на кристалле. Согласно исследованиям, плотность данных кристалла YMTC 64L 256 ГБ составляет 4.41 ГБ/мм2, что выше, чем у кристалла Samsung 64L 256 ГБ (3.42 ГБ/мм2), и сопоставимо с кристаллом TLC Micron/Intel 64L CuA FG 256 ГБ (4.40 ГБ/мм2).

Думаю, более подробно эту NAND имеет смысл рассмотреть отдельно, чему я надеюсь посвятить отдельный материал.

Подопытный Reletech P400 256 ГБ

Собственно, обзор на этот SSD я делал совсем недавно, и что-то плохое про этот накопитель сказать сложно. Типичный среднестатистический SSD на более чем привычном контроллере Phison PS5012-E12S, с кэширующей DRAM. Единственное новое, малоизведанное «пятно» в этом накопителе – это чипы NAND китайской разработки от компании Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (YMTC).

SSD Reletech P400 - тестирование надежности

В этой флеш-памяти применены интересные решения, и тем более появляется желание посмотреть, на что она способна. Каких-то нареканий в процессе тестирования не выявилось, хотя и рекордов не получилось. Скорее всего, их было бы наивно ждать. По сути, мы получаем еще одного производителя энергонезависимой памяти, что только обостряет конкуренцию, особенно на фоне планов вывести на рынок 128-слойную NAND.

Методика тестирования

Те, кто знаком с ресурсными испытаниями SSD вообще, и на моем сайте в частности, знают, что методика тестирования довольно проста. Впрочем, придумана она не мной.

Суть ее такова. При помощи программы Anvil’s Storage Utilities 1.1.0, имеющей режим работы «Endurance test», производится запись всего объема накопителя с последующим стиранием созданных файлов. Эта процедура повторяется циклически до появления ошибок или выхода накопителя из строя.

Есть еще один момент – на SSD записаны несколько крупных файлов, которые непосредственно не участвуют в тестировании, т. е. не изменяются и не перезаписываются. Для них посчитаны контрольные суммы, и после каждых 5 тестовых циклов производится сравнение первоначального значения MD5 с текущим.

Сделано это для того, чтобы контролировать целостность этих постоянных файлов. Изначально я предполагаю, что на SSD работает функция выравнивания износа, а, значит, эти файлы постоянно перемещаются по разным областям памяти. Со временем, если начнется деградация ячеек, какой-то из тестовых файлов может оказаться нечитаемым, содержать ошибки. Это будет указанием на критическое состояние NAND.

Методика, конечно, отнюдь не совершенна и довольно однобока. По сути, она занимается только исследованием, сколько всего циклов записи способна выдержать NAND. Первоначально, когда TLC только появились, речь шла о 1 000 циклов. По мере совершенствования технологии это значение увеличилось в несколько раз, и проведенные проверки это подтверждают.

SSD Reletech P400 - тестирование надежности

Тест я начал 29 января, и на данный момент (11.02.2021) SSD уже отработал (правда, с некоторыми перерывами) почти 2 недели. Записано уже более 139 ТБ. Пока никаких проблем нет. Температура SSD стабильно держится на уровне 59-60°C.

P400_CDI_20210211

Обновление от 18.02.2021

Итак, неделя прошла, и пора поделиться результатами. С накопителем ничего страшного не произошло за исключением того, что количество записанной информации подбирается к 230 ТБ. Посмотрим на скриншот утилиты CrystalDiskInfo 8.1.0.

SSD Reletech P400 - тестирование надежности

Собственно, ничего особенно интересного нам не сообщается. Температура, пройденное расстояние, да и, пожалуй, все. Более интересно посмотреть на результаты работы утилиты "phison_nvme_flash_id2", созданной Вадимом Очкиным (aka VLO):

-------- FLASH STATUS LOG --------
max erase count d1 : 0
max erase count d2 d3 : 1148
average erase count d1 : 0
average erase count d2 d3 : 1084
min erase count d1 : 0
min erase count d2 d3 : 1048
total flash erase count d1 : 304939
total flash erase count d2 d3 : 1083708
total flash program count d1 : 0
total flash program count d2 d3 : 16064818552
total flash read count : 22161571134
total flash write count : 514074193664
read flash unc retry ok count d1 : 0
read flash unc retry ok count d2 d3 : 107
read flash unc retry fail count d1 : 0
read flash unc retry fail count d2 d3 : 0
raid ecc recovery ok count d1 : 0
raid ecc recovery ok count d2 d3 : 0
raid ecc recovery fail count d1 : 0
raid ecc recovery fail count d2 d3 : 0
logical good block count d1 : 0
logical good block count d2 d3 : 1000
total early bad physical block count : 47
total later bad physical block count : 0
total read fail block count d1 : 0
total read fail block count d2 d3 : 0
total program fail block count d1 : 0
total program fail block count d2 d3 : 0
total erase fail block count d1 : 0
total erase fail block count d2 d3 : 0
raid ecc entry : 0
read disturb count : 0
flash max pecycle : 3000
revoked vb number : 100
acceptable revoked vb number : 100

Согласно полученным данным, выполнено уже 1 084 цикла "запись/стирание" (P/E). Максимальное их количество указывается равным 3 000. Пока ошибок не обнаружено, да и рановато им еще быть. Я рассчитываю, что уж петабайт накопитель выдержит.

Обновление от 25.02.2021

Эта неделя не принесла каких-то новостей. Тестирование идет штатно, никаких проблем не наблюдается. На данный момент записано уже более 315 ТБ.
SSD Reletech P400 - тестирование надежности

Утилита "phison_nvme_flash_id2" показывает следующую информацию:

-------- FLASH STATUS LOG --------
max erase count d1 : 0
max erase count d2 d3 : 1540
average erase count d1 : 0
average erase count d2 d3 : 1502
min erase count d1 : 0
min erase count d2 d3 : 1439
total flash erase count d1 : 422494
total flash erase count d2 d3 : 1501317
total flash program count d1 : 0
total flash program count d2 d3 : 22263331096
total flash read count : 30218935736
total flash write count : 712426595072
read flash unc retry ok count d1 : 0
read flash unc retry ok count d2 d3 : 144
read flash unc retry fail count d1 : 0
read flash unc retry fail count d2 d3 : 0
raid ecc recovery ok count d1 : 0
raid ecc recovery ok count d2 d3 : 0
raid ecc recovery fail count d1 : 0
raid ecc recovery fail count d2 d3 : 0
logical good block count d1 : 0
logical good block count d2 d3 : 1000
total early bad physical block count : 47
total later bad physical block count : 0
total read fail block count d1 : 0
total read fail block count d2 d3 : 0
total program fail block count d1 : 0
total program fail block count d2 d3 : 0
total erase fail block count d1 : 0
total erase fail block count d2 d3 : 0
raid ecc entry : 0
read disturb count : 0
flash max pecycle : 3000
revoked vb number : 100
acceptable revoked vb number : 100

Среднее количество циклов P/E превысило 1 500. О проблемах ничего не сообщается.


Тестирование продолжается...

Вас также может заинтересовать...

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Яндекс.Метрика